Samsung 860 QVO 2.5" 1000 GB Serial ATA III V-NAND MLC
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| Marca: SAMSUNG | P/N:MZ-76Q1T0BW |
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Samsung 860 QVO. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 520 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: Portátil
| Características | |
| Factor de forma de disco SSD | 2.5" |
| SDD, capacidad | 1000 GB |
| Interfaz | Serial ATA III |
| Tipo de memoria | V-NAND MLC |
| Tipo de flash NAND | MLC (Multi Level Cell) |
| NVMe | No |
| Componente para | Portátil |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s |
| Velocidad de lectura | 550 MB/s |
| Velocidad de escritura | 520 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 96000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 89000 IOPS |
| Tipo de controlador | Samsung MJX |
| Función DevSleep | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| ECC | Si |
| IEEE 1667 | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Recolección activa de elementos no utilizados | Si |
| TCG Opal 2.0 | Si |
| calificación TBW | 1440 |
| Control de energía | |
| Voltaje de operación | 5 V |
| Consumo de energía (max) | 4 W |
| Consumo de energía (promedio) | 2,2 W |
| Consumo de energía (espera) | 0,03 W |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
| Intervalo de humedad relativa durante almacenaje | 5 - 95% |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
| Peso y dimensiones | |
| Ancho | 100 mm |
| Profundidad | 69,8 mm |
| Altura | 6,8 mm |
| Peso | 51 g |
| Otras características | |
| Color del producto | Plata |
MZ-76Q1T0BW
Ficha técnica
- Componente para
- Portátil
- Interfaz
- Serial ATA III
- Factor de forma de disco SSD
- 2.5"
- Tipo de memoria
- V-NAND MLC
- NVMe
- No
- Velocidad de lectura
- 550 MB/s
- Velocidad de escritura
- 520 MB/s
- Capacidad Almacenamiento
- 1 Tb
