Samsung 860 EVO M.2 1000 GB Serial ATA III V-NAND MLC
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| Marca: SAMSUNG | P/N:MZ-N6E1T0BW |
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Samsung 860 EVO. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 520 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: PC/ordenador portátil
| Características | |
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| SDD, capacidad | 1000 GB |
| Interfaz | Serial ATA III |
| Tipo de memoria | V-NAND MLC |
| Componente para | PC/ordenador portátil |
| Encriptación de hardware | Si |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s |
| Velocidad de lectura | 550 MB/s |
| Velocidad de escritura | 520 MB/s |
| Función DevSleep | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Control de energía | |
| Consumo de energía (max) | 4 W |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
| Peso y dimensiones | |
| Ancho | 29,9 mm |
| Profundidad | 50,8 mm |
| Altura | 3,85 mm |
| Peso | 8,5 g |
| Empaquetado | |
| Manual de usuario | Si |
| Tipo de embalaje | Caja |
MZ-N6E1T0BW
Ficha técnica
- Componente para
- PC/ordenador portátil
- Interfaz
- Serial ATA III
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Tipo de memoria
- V-NAND MLC
- Velocidad de lectura
- 550 MB/s
- Velocidad de escritura
- 520 MB/s
- Encriptación de hardware
- Si
- Capacidad Almacenamiento
- 1 Tb
